DUARTE, Celso de Araujo

Este trabalho tem por objetivo apresentar o resultado de investigações em amostras de poços quânticos parabólicos (PQW) de AlGaAs crescidas em substratos de GaAs por MBE (Molecular Beam Epitaxy). Esses estudos se concentram nas implicações da variação do fator g de Landé ao longo da estrutura dos PQW, a qual ocorre em virtude da dependência dessa grandeza com respeito ao conteúdo de Al na liga AlGaAs. Essas implicações são analisadas através de medidas de transporte eletrônico (medidas de Hall e do efeito Shubnikov-de Haas).

Palavras-chave: AlGaAs. Efeito Hall. Efeito Shubnikov-de Haas. Fator g. Poços Quânticos Parabólicos. Semicondutores. Spintrônica. Válvula de Spin.